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110
orientation出井 数彦; 古野 茂実
Ultramicroscopy, 21, p.399 - 402, 1987/00
被引用回数：3 パーセンタイル：25(Microscopy)吾々が世界で初めてシリコンの110方向の原子像を高分解能電顕で撮影することに成功して以来10年を経たが、この間、この像について、示された原子位置の正確性を議論し、批判する論文が数人の研究者により提出された。今回これらの批判に応えて、原子位置表示の精度は、観察される試料の厚さにより大きく変わること、精度のよい像は非常に厳しい条件(厚さ70~80
の範囲でのみ観察可能で、この条件が万足されなければ他の電子光学的条件を如何に最適に調節しても不可能であることを今迄の結像計算の例を挙げて説明し、併せて精度のよい観測例を、明確な写真で示した。
出井 数彦; 古野 茂実; 西田 雄彦; 大津 仁
Chem.Scr., 14(1-5), p.99 - 108, 1979/00
100kV電顕を用いて、従来の理論分解能を遥かに超えた高分解能の結晶構造をシリコン,ゲルマニウム,モリブデナイトにおいて観察した結果を報告し、あわせて、観察のための最適条件を結像計算に基づいて明らかにした点を述べる。更にこの手法を格子欠陥の研究に応用して、種々の荷電粒子で照射された結晶中に出来る微小欠陥の高分解能観察結果を報告し、これら観察像を解析するために、欠陥の種々のモデル(空孔型,或は格子間原子型集合体)について、multi-slice理論とレンズ伝達理論に基く、像のコンピューターシミュレーションの結果を述べ、像解釈上の種々の問題点を議論する。
